PHP18NQ10T,127 与 IRFB4110PBF 区别
| 型号 | PHP18NQ10T,127 | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PHP18NQ10T,127 | A-IRFB4110PBF |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | PHP Series 100 V 243 mOhm 79 W N-Channel TrenchMOS Transistor - TO-220AB | Single N-Channel 100 V 370 W 210 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 4.5mΩ@75A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 79W | 370W(Tc) |
| 输出电容 | 103pF | - |
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT78 | TO-220AB |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 18A | 180A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 输入电容 | 633pF | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 9620pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 210nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 90mΩ@10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PHP18NQ10T,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 79W 175°C 3V 100V 18A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STP30NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 168,950 | 对比 |
|
|
STP80NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 85,500 | 对比 |
|
|
STP40NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 4,850 | 对比 |
|
IRFB4410ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A TO-220AB |
暂无价格 | 1,030 | 对比 |
|
|
IRF530NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220AB N-Channel 70W 90mΩ@ 9A,10V -55°C~175°C ±20V 100V 17A |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
