PMPB10XNEAX 与 DMN2011UFDF-7 区别
| 型号 | PMPB10XNEAX | DMN2011UFDF-7 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-PMPB10XNEAX | A36-DMN2011UFDF-7 | ||||||||||
| 制造商 | Nexperia | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6 | MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.7W | 2.1W(Ta) | ||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 9.5mΩ@7A,4.5V | ||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2248 pF @ 10 V | ||||||||||
| 输出电容 | 235pF | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | 0.65V | ±12V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 56 nC @ 10 V | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT1220 | U-DFN2020-6(F 类) | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 9A | 14.2A(Ta) | ||||||||||
| 驱动电压 | - | 1.5V,4.5V | ||||||||||
| 输入电容 | 2175pF | - | ||||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 14mΩ@4.5V,18mΩ@2.5V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 4,985 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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PMPB10XNEAX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 1.7W 150°C 0.65V 20V 9A 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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CSD15571Q2 | TI | 数据手册 | 功率MOSFET |
6-SON(2x2) |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||||||
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PMPB10XNE,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN-MD N-Channel 1.7W -55°C~150°C ±12V 20V 12.9A |
暂无价格 | 260 | 对比 | ||||||||||||||
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PMPB10XNEZ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 1.7W 150°C 12V,0.65V 20V 12.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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CSD15571Q2 | TI | 数据手册 | 功率MOSFET |
6-SON(2x2) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
;;6.jpg)
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RF4E100AJTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 10A(Ta) ±12V 2W(Tc) 12.4mΩ@10A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerUDFN |
￥5.7303
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1,903 | 对比 |
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