PUMD3,115 与 DCX114EUQ-13-F 区别
| 型号 | PUMD3,115 | DCX114EUQ-13-F | ||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A-PUMD3,115 | A36-DCX114EUQ-13-F | ||||||||||||||||||||
| 制造商 | Nexperia | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||||||||
| 描述 | PUMD3 Series 40 V 100 mA Surface Mount NPN/PNP Digital Transistor - SOT-363 | PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10 | ||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 300mW | - | ||||||||||||||||||||
| 特征频率fT | 230MHz,180MHz | - | ||||||||||||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 150mV | - | ||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | - | ||||||||||||||||||||
| VCBO | 50V | - | ||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | - | ||||||||||||||||||||
| 集电极电流Ic | 100mA | - | ||||||||||||||||||||
| VEBO | 10V | - | ||||||||||||||||||||
| 尺寸 | 2.1*1.25*0.95 | - | ||||||||||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V | - | ||||||||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 30 | - | ||||||||||||||||||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | - | ||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||
| 库存 | 66 | 16,749 | ||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PUMD3,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA NPN+PNP |
¥1.105
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66 | 当前型号 | ||||||||||||
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DCX114EUQ-13-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
车规 |
¥0.4001
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16,749 | 对比 | ||||||||||||
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UMD3NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
¥0.1812
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15,000 | 对比 | ||||||||||||
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UMH11NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA NPN |
¥0.1831
|
15,000 | 对比 | ||||||||||||
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UMH11NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA NPN |
¥1.2826
|
9,000 | 对比 | ||||||||||||
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DDC114EU-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW -50V -30mA 2PNP |
¥0.8196
|
9,000 | 对比 |