| 型号 | PUMD3,125 | UMH11NTN | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A-PUMD3,125 | A32-UMH11NTN-1 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP | UMH11N Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN Digital Transistor - SC-88 | ||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| R2 | - | 10K Ohms | ||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 300mW | 150mW | ||||||||||||||||||
| 特征频率fT | 230MHz,180MHz | 250MHz | ||||||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 150mV | 300mV | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||||||||||||||
| VCBO | 50V | - | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||||||||||
| 集电极电流Ic | 100mA | 100mA | ||||||||||||||||||
| VEBO | 10V | - | ||||||||||||||||||
| 尺寸 | 2.1*1.25*0.95 | - | ||||||||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V | 50V | ||||||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 30 | 30 | ||||||||||||||||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN | ||||||||||||||||||
| R1 | - | 10K Ohms | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 15,000 | 9,000 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 7 - 14天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PUMD3,125 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA NPN+PNP |
￥0.8185
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15,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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DCX114EUQ-13-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
车规 |
￥0.4001
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16,749 | 对比 | ||||||||||||
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UMD3NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥0.1812
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15,000 | 对比 | ||||||||||||
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UMH11NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA NPN |
￥0.1831
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15,000 | 对比 | ||||||||||||
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UMH11NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA NPN |
￥1.2826
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9,000 | 对比 | ||||||||||||
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DDC114EU-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW -50V -30mA 2PNP |
￥0.8196
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9,000 | 对比 |
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