PUMD9,115 与 UMD9NFHATR 区别
| 型号 | PUMD9,115 | UMD9NFHATR | ||
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| 唯样编号 | A-PUMD9,115 | A3x-UMD9NFHATR | ||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||
| 描述 | PUMD9 Series 50 V 100 mA Surface Mount NPN/PNP Digital Transistor - SOT-363 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| R2 | - | 47K/47K Ohms | ||
| 功率耗散Pd | 300mW | 150mW | ||
| 特征频率fT | 230MHz,180MHz | 250MHz,250MHz | ||
| 产品特性 | - | 车规 | ||
| 集电极-射极饱和电压 | 100mV | 300mV,-300mV | ||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||
| VCBO | 50V | - | ||
| 工作温度 | -65°C~150°C | -55°C~150°C | ||
| VEBO | 6V | - | ||
| 尺寸 | 2.1*1.25*0.95 | - | ||
| 集电极连续电流 | 100mA | 100mA,-100mA | ||
| 直流电流增益hFE | 100 | 68,68 | ||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 50V | 50V,-50V | ||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN+PNP | ||
| R1 | - | 10K/10K Ohms | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 3,020 | 1,950 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 5天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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PUMD9,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA 100mV 100 230MHz,180MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 3,020 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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UMH9NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA 300mV 68 250MHz NPN |
￥1.7249
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6,237 | 对比 | ||||||||||||||||
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UMH9NFHATN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA 300mV 68 250MHz 车规 NPN |
￥0.5718
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6,020 | 对比 | ||||||||||||||||
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UMD9NFHATR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA 300mV,-300mV 68,68 250MHz,250MHz 车规 NPN+PNP |
￥0.2456
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1,950 | 对比 | ||||||||||||||||
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UMD9NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA 300mV,-300mV 68,68 250MHz,250MHz NPN+PNP |
￥0.5524
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544 | 对比 | ||||||||||||||||
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UMD4NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA 300mV,-300mV 68,68 250MHz,250MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 180 | 对比 |
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