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RGTH00TK65GC11  与  RGTH00TK65DGC11  区别

型号 RGTH00TK65GC11 RGTH00TK65DGC11
唯样编号 A-RGTH00TK65GC11 A-RGTH00TK65DGC11
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT IGBT
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极脉冲(Icm) 200A 200A
栅极电荷 94nC 94nC
功率-最大值 72W 72W
输入类型 标准 标准
IGBT类型 沟槽型场截止 沟槽型场截止
25°C时Td(开/关)值 39ns/143ns 39ns/143ns
电流-集电极(Ic)(最大值) 35A 35A
封装/外壳 TO-3PFM,SC-93-3 TO-3PFM,SC-93-3
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,50A 2.1V @ 15V,50A
电压-集射极击穿(最大值) 650V 650V
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ) -40°C ~ 175°C(TJ)
测试条件 400V,50A,10 欧姆,15V 400V,50A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) - 225ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RGTH00TK65GC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT

TO-3PFM,SC-93-3

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RGTH00TK65DGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT

TO-3PFM,SC-93-3

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