RGTH80TK65DGC11 与 RGTH80TK65GC11 区别
| 型号 | RGTH80TK65DGC11 | RGTH80TK65GC11 | ||||
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| 唯样编号 | A-RGTH80TK65DGC11 | A33-RGTH80TK65GC11 | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | IGBT晶体管 | IGBT晶体管 | ||||
| 描述 | ||||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 电流-集电极脉冲(Icm) | 160A | 160A | ||||
| 栅极电荷 | 79nC | 79nC | ||||
| 功率-最大值 | 66W | 66W | ||||
| 输入类型 | 标准 | 标准 | ||||
| IGBT类型 | 沟槽型场截止 | 沟槽型场截止 | ||||
| 25°C时Td(开/关)值 | 34ns/120ns | 34ns/120ns | ||||
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 31A | 31A | ||||
| 封装/外壳 | TO-3PFM,SC-93-3 | TO-3PFM,SC-93-3 | ||||
| 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) | 2.1V @ 15V,40A | 2.1V @ 15V,40A | ||||
| 电压-集射极击穿(最大值) | 650V | 650V | ||||
| 工作温度 | -40°C~175°C(TJ) | -40°C~175°C(TJ) | ||||
| 测试条件 | 400V,40A,10 欧姆,15V | 400V,40A,10 欧姆,15V | ||||
| 反向恢复时间(trr) | 58ns | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 18 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RGTH80TK65DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RGTH80TK65GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
￥38.6938
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450 | 对比 | ||||||||||||||
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RGTH80TK65GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
暂无价格 | 30 | 对比 | ||||||||||||||
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RGTH80TK65GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
￥38.6938
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18 | 对比 | ||||||||||||||
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RGTH80TK65GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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