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RGW80TK65GVC11  与  RGW80TK65DGVC11  区别

型号 RGW80TK65GVC11 RGW80TK65DGVC11
唯样编号 A-RGW80TK65GVC11 A-RGW80TK65DGVC11
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT IGBT
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 Tube TO-3PFM
功率 81W 81W
工作温度 -40°C ~ 175°C -40°C ~ 175°C
配置 Single Single
在25 C的连续集电极电流 39 A 39 A
集电极—射极饱和电压 1.5 V 1.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO 650 V 650 V
栅极/发射极最大电压 30 V 30 V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RGW80TK65GVC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT

Tube

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RGW80TK65DGVC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT

TO-3PFM

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