RH6R025BHTB1 与 SISA88DN-T1-GE3 区别
| 型号 | RH6R025BHTB1 | SISA88DN-T1-GE3 | ||||
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| 唯样编号 | A-RH6R025BHTB1 | A36-SISA88DN-T1-GE3 | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | Nch 150V 25A, HSMT8, Power MOSFET | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 封装/外壳 | HSMT8 | PowerPAK® 1212-8 | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||
| 连续漏极电流Id | 25A | 16.2A(Ta),40.5A(Tc) | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ@25A,10V | 6.7 mOhms @ 10A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 150V | 30V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 59W | 3.2W(Ta),19.8W(Tc) | ||||
| Vgs(最大值) | - | +20V,-16V | ||||
| Vgs(th) | - | 2.4V @ 250uA | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 95 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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RH6R025BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 60mΩ@25A,10V -55°C~150°C ±20V 150V 25A |
￥10.0366
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95 | 当前型号 | ||||||
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BSZ900N15NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 150V 13A 74mΩ 20V 38W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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BSZ520N15NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 150V 21A 42mΩ 20V 57W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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