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RQ3E150BNTB  与  AON6538  区别

型号 RQ3E150BNTB AON6538
唯样编号 A-RQ3E150BNTB A-AON6538
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.3mΩ@15A,10V 4 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 5.6W(Ta),35.5W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN 8-DFN(5x6)
连续漏极电流Id 15A(Ta) 30A(Ta),75A(Tc)
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
栅极电荷Qg - 30nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥6.9821
100+ :  ¥4.0357
1,500+ :  ¥2.5586
3,000+ :  ¥1.8499
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E150BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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¥6.9821 

阶梯数 价格
1: ¥6.9821
100: ¥4.0357
1,500: ¥2.5586
3,000: ¥1.8499
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1,020: ¥3.0924
2,500: ¥2.4184
5,000: ¥1.8864
0 对比

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