RS6L090BGTB1 与 SI4850EY-T1-E3 区别
| 型号 | RS6L090BGTB1 | SI4850EY-T1-E3 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-RS6L090BGTB1 | A-SI4850EY-T1-E3 | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET | Single N-Channel 60 V 0.022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | 8-SOIC | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~175°C | ||||||
| 连续漏极电流Id | 90A | 6A(Ta) | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.7mΩ@90A,10V | 22 mOhms @ 6A,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 73W | 1.7W(Ta) | ||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||
| Vgs(th) | - | 3V @ 250uA | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 99 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||
| 购买数量 | ||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RS6L090BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A |
￥12.884
|
99 | 当前型号 | ||||||
|
SIJ462ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAKSO-8L N-Channel 22.3W 7.2mΩ@10A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 39.3A |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||
|
SI4850BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.4A(Ta),11.3A(Tc) N-Channel 19.5 mOhms @ 10A,10V 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 40 | 对比 | ||||||
|
SIR184LDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK® SO-8 |
暂无价格 | 20 | 对比 | ||||||
|
SIR186LDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerPAK® SO-8 Single N-Channel 57W 4.4mΩ@15A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 80.3A |
暂无价格 | 10 | 对比 | ||||||
|
NTMFS5C645NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
