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RS6L120BGTB1  与  SI4850EY-T1-E3  区别

型号 RS6L120BGTB1 SI4850EY-T1-E3
唯样编号 A-RS6L120BGTB1 A-SI4850EY-T1-E3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET Single N-Channel 60 V 0.022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C -55℃~175℃
连续漏极电流Id 120A 6A(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.7mΩ@90A,10V 22 mOhms @ 6A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 104W 1.7W(Ta)
Vgs(最大值) - ±20V
Vgs(th) - 3V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 97 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥17.6628
100+ :  ¥8.8314
2,500+ :  ¥2.0793
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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阶梯数 价格
1: ¥17.6628
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