RSS070P05HZGTB 与 RSH070P05TB1 区别
| 型号 | RSS070P05HZGTB | RSH070P05TB1 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A-RSS070P05HZGTB | A33-RSH070P05TB1-1 | ||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | SOP-8,VDSS=-45V,RDS(ON)=27mΩ,ID=±7.0A,PD=2W | MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 2W(Ta) | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 27mΩ@7A,10V | - | ||||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 45V | - | ||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | - | ||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 4100pF @ 10V | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P 通道 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOP-8 | 8-SOP | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 7A | - | ||||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA | ||||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 27 毫欧 @ 7A,10V | ||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V | ||||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 7A(Ta) | ||||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 45V | ||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 47.6nC @ 5V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 0 | 1,616 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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RSS070P05HZGTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOP-8 P-Channel 2W 27mΩ@7A,10V -55°C~150°C ±20V 45V 7A 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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RSH070P05TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
暂无价格 | 100 | 对比 |
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RSH070P05TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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