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SCT3060ALGC11  与  IPW60R080P7XKSA1  区别

型号 SCT3060ALGC11 IPW60R080P7XKSA1
唯样编号 A-SCT3060ALGC11 A-IPW60R080P7XKSA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 SCT3060AL Series 650 V 39 A 78 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 129W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ -
上升时间 37ns -
Qg-栅极电荷 58nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2180pF @ 400V
栅极电压Vgs 5.6V -
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 175°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 39A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 51nC @ 10V
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 80 毫欧 @ 11.8A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
下降时间 21ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 165W -
典型关闭延迟时间 34ns -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 590uA
系列 SCT3x -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 6.67mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 852pF @ 500V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 58nC @ 18V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 37A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
典型接通延迟时间 19ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
450+ :  ¥51.5009
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