SCT3105KLGC11 与 SCT3105KLHRC11 区别
| 型号 | SCT3105KLGC11 | SCT3105KLHRC11 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SCT3105KLGC11 | A3-SCT3105KLHRC11 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | SiC MOSFET | SiC MOSFET |
| 描述 | SICFET N-CH 1200V 24A TO247N | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 134W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 137mΩ | - |
| 技术 | - | SiCFET(碳化硅) |
| 漏源极电压Vds | 1.2KV | - |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Qg-栅极电荷 | 51 nC | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 574pF @ 800V |
| 栅极电压Vgs | -4V,to22V | - |
| FET类型 | - | N 通道 |
| 封装/外壳 | TO-247N-3 | TO-247N |
| 连续漏极电流Id | 24A | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C | 175°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 5.6V @ 3.81mA |
| 通道数量 | 1 Channel | - |
| 配置 | Single | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 137 毫欧 @ 7.6A,18V |
| Vgs(最大值) | - | +22V,-4V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 18V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 24A(Tc) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 1200V |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 51nC @ 18V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 480 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SCT3105KLGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
TO-247N-3 1.2KV 24A 137mΩ -4V,to22V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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SCT3105KLHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
暂无价格 | 480 | 对比 | ||||||||||||||||
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SCT3105KLHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
￥168.1616
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180 | 对比 | ||||||||||||||||
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SCT3105KLHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
￥168.1616
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7 | 对比 | ||||||||||||||||
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SCT3105KLHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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