STGW60V60DF 与 IKW50N60H3 区别
| 型号 | STGW60V60DF | IKW50N60H3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STGW60V60DF | A-IKW50N60H3 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | IGBT晶体管 | IGBT晶体管 |
| 描述 | IGBT 600V 80A 375W TO247 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 栅极—射极漏泄电流 | - | 100nA |
| 功率 | - | 333W |
| 宽度 | - | 5.31mm |
| 脉冲电流 - 集电极 (Icm) | - | 200A |
| IGBT 类型 | - | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | - | 600V |
| 集电极最大连续电流 Ic | - | 50A |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | - | 100A |
| 栅极/发射极最大电压 | - | 20V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | PG-TO247-3 |
| 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） | - | 2.3V @ 15V,50A |
| 工作温度 | - | -40°C~175°C(TJ) |
| 配置 | - | Single |
| 开关能量 | - | 2.36mJ |
| 在25 C的连续集电极电流 | - | 100A |
| 长度 | - | 15.87mm |
| 测试条件 | - | 400V,50A,7 欧姆,15V |
| 高度 | - | 20.7mm |
| 反向恢复时间（trr） | - | 130ns |
| 输入类型 | - | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | - | 600V |
| 系列 | - | HighSpeed3 |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | - | 23ns/235ns |
| 集电极—射极饱和电压 | - | 2.25V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STGW60V60DF | STMicro | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IKW50N60H3 | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
-40°C~175°C(TJ) PG-TO247-3 333W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IGW50N60T | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
333W PG-TO247-3 -40°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AOK60B60D1 | AOS | 数据手册 | IGBT晶体管 |
417W -55°C~150°C(TJ) TO-247 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRGP4660DPBF | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
-55°C~175°C(TJ) 330W 15.87*5.31*20.7mm |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
AOK50B60D1 | AOS | 数据手册 | IGBT晶体管 |
312W -55°C~150°C(TJ) TO-247 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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