STP100N6F7 与 IRFB3306PBF 区别
| 型号 | STP100N6F7 | IRFB3306PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STP100N6F7 | A-IRFB3306PBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 100A TO220 | Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 4.2mΩ@75A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 230W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 160A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 50V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4520pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 120nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4520pF |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 120nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP100N6F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
|
STP80N6F6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 13,950 | 对比 |
|
IRF1407PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 130A 330W 7.8mΩ 75V 20V N-Channel |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
IRFB7540PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 160W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.1mΩ@65A,10V N-Channel 60V 110A TO-220 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
|
IRFB3307ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 75V 120A 4.6mΩ 20V 230W N-Channel |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
BUK9608-55B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 203W 175°C 1.5V 55V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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