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UMZ1NTR  与  HN1B01FU-Y(L,F,T)  区别

型号 UMZ1NTR HN1B01FU-Y(L,F,T)
唯样编号 A-UMZ1NTR A-HN1B01FU-Y(L,F,T)
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 三极管/双极型晶体管
描述 UMZ1N Series 50 V 150 mA SMT NPN/PNP General Purpose Dual Transistor - SC-88 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 150mW -
功率 - 200mW
特征频率fT 180MHz,140MHz -
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) - 300mV @ 10mA,100mA
集电极-射极饱和电压 400mV,-500mV -
产品状态 - 在售
电流-集电极(Ic)(最大值) - 150mA
封装/外壳 SOT-363 US6
电压-集射极击穿(最大值) - 50V
VCBO 60V,-60V -
工作温度 -55℃~150℃ 125°C(TJ)
频率-跃迁 - 120MHz
VEBO 7V,-6V -
集电极连续电流 150mA,-150mA -
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) - 120 @ 2mA,6V
电流-集电极截止(最大值) - 100nA(ICBO)
直流电流增益hFE 120,120 -
集电极-发射极最大电压VCEO 50V,-50V -
晶体管类型 NPN/PNP NPN,PNP
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
730+ :  ¥0.5315
3,000+ :  ¥0.3843
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
UMZ1NTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

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730: ¥0.5315
3,000: ¥0.3843
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10: ¥0.3302
100: ¥0.2446
1,000: ¥0.1896
1,500: ¥0.1554
3,000: ¥0.1375
15,229 对比
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570: ¥0.234
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2,420: ¥0.1814
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0 对比

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