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ZXMN2F30FHTA  与  IRLML6246TRPBF  区别

型号 ZXMN2F30FHTA IRLML6246TRPBF
唯样编号 A-ZXMN2F30FHTA A-IRLML6246TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 1.3W(Ta)
漏源极电压Vds - 20V
栅极电压Vgs - ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-23 Micro3™/SOT-23
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 4.1A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 16V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 5µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 290pF @ 16V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 5µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 290pF @ 16V
导通电阻Rds(On) - 46mΩ@4.1A,4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.5nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN2F30FHTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta)

¥0.88 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.88
105,000 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta)

¥2.8844 

阶梯数 价格
60: ¥2.8844
100: ¥2.3669
300: ¥1.9644
500: ¥1.8878
1,000: ¥1.8303
1,070 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta)

暂无价格 100 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta)

¥4.0841 

阶梯数 价格
1: ¥4.0841
100: ¥2.1809
3,000: ¥1.5768
30 对比
IRLML6246TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 46mΩ@4.1A,4.5V N-Channel 20V 4.1A Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比

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