ZXMN3A01FTA 与 IRLML2030TRPBF 区别
| 型号 | ZXMN3A01FTA | IRLML2030TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-ZXMN3A01FTA | A-IRLML2030TRPBF |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ZXMN3A01 Series 30 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3 | Single HexFet 30 V 1.3 W 1 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 1.3W(Ta) |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23 | Micro3™/SOT-23 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 2.7A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.3V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 110pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 1nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.3V @ 25µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 110pF @ 15V |
| 导通电阻Rds(On) | - | 100mΩ@2.7A,10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 1nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXMN3A01FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
|
FDN335N | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
￥1.0361
|
6,055 | 对比 | ||||||||||
|
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FDN335N | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
|
RTR025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||
|
|
RTR025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
IRLML2030TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 100mΩ@2.7A,10V N-Channel 30V 2.7A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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