首页 > 商品目录 > > > ZXMN3A14FTA代替型号比较

ZXMN3A14FTA  与  IRLML9301TRPBF  区别

型号 ZXMN3A14FTA IRLML9301TRPBF
唯样编号 A-ZXMN3A14FTA A3-IRLML9301TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 64mΩ@3.6A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 1.3W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 65mΩ@3.2A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 448 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 8.6 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.2A(Ta) 3.6A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 388pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 388pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN3A14FTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
IRLML9301TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 3,000 对比
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.9mm TSMT

暂无价格 0 对比
AO3418 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥1.5732 

阶梯数 价格
410: ¥1.5732
1,000: ¥1.1653
1,500: ¥0.874
3,000: ¥0.6293
0 对比
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TSMT 2.9mm

暂无价格 0 对比
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.9mm TSMT

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售