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ZXMN6A11DN8TA  与  IRF7103TRPBF  区别

型号 ZXMN6A11DN8TA IRF7103TRPBF
唯样编号 A-ZXMN6A11DN8TA A-IRF7103TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC Dual N-Channel 50 V 2 W 12 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 130mΩ@3A,10V
漏源极电压Vds 60V 50V
Pd-功率耗散(Max) 1.8W 2W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 120mΩ@2.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 40V -
FET类型 2N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 5.7nC @ 10V -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.5A 3A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 290pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 290pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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8-SO

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