2SAR512PHZGT100 与 2SB1698T100 区别
| 型号 | 2SAR512PHZGT100 | 2SB1698T100 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-2SAR512PHZGT100 | A33-2SB1698T100 | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||
| 描述 | PNP, SOT-89, -30V -2A, MEDIUM PO | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 500mW | - | ||
| 电流-集电极截止(最大值) | - | 100nA(ICBO) | ||
| 功率 | - | 2W | ||
| 特征频率fT | 430MHz | - | ||
| 产品特性 | 车规 | - | ||
| 集电极-射极饱和电压 | -400mV | - | ||
| 不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) | - | 370mV @ 50mA,1A | ||
| 封装/外壳 | SOT-89 | MPT | ||
| 不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | - | 270 @ 100mA,2V | ||
| VCBO | -30V | - | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||
| 频率-跃迁 | - | 280MHz | ||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 30V | ||
| VEBO | -6V | - | ||
| 集电极连续电流 | -2A | - | ||
| 集电极最大允许电流Ic | - | 1.5A | ||
| 直流电流增益hFE | 200 | - | ||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | -30V | - | ||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 1,000 | 619 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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2SAR512PHZGT100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 500mW -30V -2A -400mV 200 430MHz 车规 PNP |
暂无价格 | 1,000 | 当前型号 | ||||||||||
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2SAR512P5T100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 500mW -30V -2A -400mV 200 430MHz PNP |
暂无价格 | 1,170 | 对比 | ||||||||||
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2SB1698T100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
MPT PNP |
¥1.0243
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619 | 对比 | ||||||||||
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2SAR512P5T100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 500mW -30V -2A -400mV 200 430MHz PNP |
¥3.7564
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450 | 对比 | ||||||||||
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2SAR512P5T100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 500mW -30V -2A -400mV 200 430MHz PNP |
¥0.8266
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0 | 对比 | ||||||||||
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2SAR512PFRAT100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 500mW -30V -2A -400mV 200 430MHz 车规 PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 |