2SCR502E3TL 与 2SCR502E3HZGTL 区别
| 型号 | 2SCR502E3TL | 2SCR502E3HZGTL | ||||||||
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| 唯样编号 | A3-2SCR502E3TL | A33-2SCR502E3HZGTL | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | NPN, SOT-416, 30V 0.5A, General Purpose Transistor | NPN, SOT-416, 30V 500mA, General Purpose Amplification Transistor for Automotive | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 150mW | ||||||||
| 特征频率fT | - | 360MHz | ||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | - | 300mV | ||||||||
| 封装/外壳 | EMT3 | SOT-416 | ||||||||
| VCBO | - | 30V | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||
| 集电极电流Ic | - | 0.5A | ||||||||
| VEBO | - | 6V | ||||||||
| 集电极-发射极Vceo | - | 30V | ||||||||
| 直流电流增益hFE | - | 200 | ||||||||
| 晶体管类型 | NPN | NPN | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 200 | 2,716 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 28 - 35天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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2SCR502E3TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
EMT3 NPN |
暂无价格 | 200 | 当前型号 | ||||||||||||
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2SCR502E3HZGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW 30V 0.5A 车规 NPN |
￥1.4965
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3,100 | 对比 | ||||||||||||
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2SCR502E3HZGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW 30V 0.5A 车规 NPN |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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2SCR502E3HZGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW 30V 0.5A 车规 NPN |
￥0.9845
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2,716 | 对比 | ||||||||||||
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2SCR502E3HZGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW 30V 0.5A 车规 NPN |
￥1.5731
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2,680 | 对比 |
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