BC847BPDW1T1G 与 MMDT4413-7-F 区别
| 型号 | BC847BPDW1T1G | MMDT4413-7-F | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-BC847BPDW1T1G | A36-MMDT4413-7-F | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||
| 描述 | BC Series 45 V 100 mA NPN/PNP Silicon Dual General Purpose Transistor - SOT-363 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||
| 功率耗散Pd | 0.38W | 200mW | ||||||
| VCBO | 50V,-50V | 60V,-40V | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -65°C~150°C | ||||||
| 集电极电流Ic | 100mA,-100mA | 600mA,-600mA | ||||||
| 特征频率fT | 100MHz,100MHz | 250MHz,200MHz | ||||||
| VEBO | 6V,-6V | 6V,-5V | ||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 600mV,-650mV | -750mV,750mV | ||||||
| 集电极-发射极Vceo | 45V,-45V | 40V,-40V | ||||||
| 直流电流增益hFE | 200,200 | 100,100 | ||||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN+PNP | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 2,053 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC847BPDW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 0.38W 45V,-45V 100mA,-100mA NPN+PNP |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
|
BC847PN-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||
|
MMDT4413-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW 40V,-40V 600mA,-600mA NPN+PNP |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||
|
UMZ1NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 150mA,-150mA NPN+PNP |
￥0.1977
|
3,000 | 对比 | ||||||||
|
|
UMZ1NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 150mA,-150mA NPN+PNP |
￥0.4589
|
3,000 | 对比 | ||||||||
|
|
MMDT4413-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW 40V,-40V 600mA,-600mA NPN+PNP |
￥0.6734
|
2,053 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
