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DMG3402L-7  与  BSS205NH6327XTSA1  区别

型号 DMG3402L-7 BSS205NH6327XTSA1
唯样编号 A3-DMG3402L-7 A-BSS205NH6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1.4W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 52mΩ@4A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 464 pF @ 15 V 419pF @ 10V
栅极电压Vgs ±12V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 11.7 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 11uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.2nC @ 4.5V
驱动电压 2.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 50 毫欧 @ 2.5A,4.5V
Vgs(最大值) - ±12V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 2.5A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,4.5V
漏源电压(Vdss) - 20V
库存与单价
库存 42,500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG3402L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

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SOT23-3

¥1.5732 

阶梯数 价格
410: ¥1.5732
1,000: ¥1.1653
1,500: ¥0.874
3,000: ¥0.6293
0 对比
BSS205NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS205N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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