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DMMT3906W-7-F  与  MBT3906DW1T1G  区别

型号 DMMT3906W-7-F MBT3906DW1T1G
唯样编号 A3-DMMT3906W-7-F A36-MBT3906DW1T1G-1
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 DMMT3906W Series PNP 40 V 200 mW 200 mA Small Signal Transistor - SOT-363
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-363 -
功率耗散Pd 200mW -
VCBO -40V -
工作温度 -65°C~150°C -
集电极电流Ic -200mA -
特征频率fT 250MHz -
VEBO -5V -
集电极-射极饱和电压 -400mV -
集电极-发射极Vceo -40V -
直流电流增益hFE 100 -
晶体管类型 PNP -
库存与单价
库存 12,000 4
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMMT3906W-7-F Diodes Incorporated  数据手册 BJT三极管

SOT-363 200mW -40V -200mA PNP

暂无价格 12,000 当前型号
BC857BDW1T1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363-6

暂无价格 3,000 对比
BC857BDW1T1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363-6

¥0.2445 

阶梯数 价格
210: ¥0.2445
1,500: ¥0.2115
2,704 对比
MBT3906DW1T1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

¥0.3536 

阶梯数 价格
150: ¥0.3536
200: ¥0.2625
1,500: ¥0.2295
1,542 对比
BC857BDW1T1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363-6

¥0.2073 

阶梯数 价格
250: ¥0.2073
992 对比
MBT3906DW1T1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

暂无价格 4 对比

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