DMN65D8L-7 与 DMN65D8LQ-13 区别
| 型号 | DMN65D8L-7 | DMN65D8LQ-13 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMN65D8L-7 | A36-DMN65D8LQ-13 | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | DMN65D8L: 60 V 3 Ohm SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3Ω@115mA,10V | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 370mW(Ta) | 370mW(Ta) | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 3Ω@115mA,10V | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 22 pF @ 25 V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 0.87 nC @ 10 V | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23-3 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 0.31A | 310mA(Ta) | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - | ||||||||
| 驱动电压 | - | 5V,10V | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 22pF @ 25V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 0.87nC @ 10V | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 5V,10V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 14,510 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN65D8L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 370mW(Ta) 3Ω@115mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.31A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
BSS138N H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
60V 230mA 3.5Ω@230mA,10V ±20V 360mW N-Channel -55°C~150°C SOT-23 车规 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
