DXT651-13 与 2SC5712(TE12L,F) 区别
| 型号 | DXT651-13 | 2SC5712(TE12L,F) | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A3-DXT651-13 | A33-2SC5712(TE12L,F)-1 | ||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Toshiba | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||
| 描述 | TRANS NPN 60V 3A SOT89-3 | TRANS NPN 50V 3A PW-MINI | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 1W | - | ||||||||||||||
| 功率 | - | 1 W | ||||||||||||||
| 特征频率fT | 200MHz | - | ||||||||||||||
| 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) | - | 140mV @ 20mA,1A | ||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 600mV | - | ||||||||||||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||||||||||||
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | - | 3 A | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-89-3 | PW-MINI | ||||||||||||||
| 电压-集射极击穿(最大值) | - | 50 V | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 集电极连续电流 | 3A | - | ||||||||||||||
| 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) | - | 400 @ 300mA,2V | ||||||||||||||
| 电流-集电极截止(最大值) | - | 100nA(ICBO) | ||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 100 | - | ||||||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 60V | - | ||||||||||||||
| 晶体管类型 | NPN | NPN | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 0 | 5,713 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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DXT651-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
600mV 100 SOT-89-3 1W 60V 3A 200MHz NPN |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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2SC5824T100R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 500mW 60V 3A 500mV 180 200MHz NPN |
¥0.9668
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6,718 | 对比 | ||||||||||||||||
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2SC5712(TE12L,F) | Toshiba | 数据手册 | BJT三极管 |
PW-MINI NPN |
¥2.434
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5,713 | 对比 | ||||||||||||||||
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2SD2391T100Q | ROHM Semiconductor | BJT三极管 |
¥0.8591
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5,302 | 对比 | ||||||||||||||||||
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2SC5712(TE12L,F) | Toshiba | 数据手册 | BJT三极管 |
PW-MINI NPN |
¥0.9548
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2,236 | 对比 | ||||||||||||||||
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2SD2391T100Q | ROHM Semiconductor | BJT三极管 |
¥4.9637
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1,000 | 对比 |