FDN337N 与 ZXMN3A14FTA 区别
| 型号 | FDN337N | ZXMN3A14FTA | ||||||||
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| 唯样编号 | A3-FDN337N-2 | A36-ZXMN3A14FTA | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | N-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Field Effect Transistor - SSOT-3 | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 500mW(Ta) | 1W(Ta) | ||||||||
| 功率 | 500mW(Ta) | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 65mΩ@3.2A,10V | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 448 pF @ 15 V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±8V | ±20V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 8.6 nC @ 10 V | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 2.2A(Ta) | 3.2A(Ta) | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 300pF @ 10V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9nC @ 4.5V | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 300pF @ 10V | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9nC @ 4.5V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 1,763 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FDN337N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
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AO3402 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C |
￥0.5544
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244,256 | 对比 | ||||||||||
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SI3400A-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
￥0.2235
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9,809 | 对比 | ||||||||||
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RTR040N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) TSMT 4A 1W 48mΩ 30V 12V N-Channel |
￥0.9394
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9,000 | 对比 | ||||||||||
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DMN3200U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 650mW(Ta) ±8V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.2A(Ta) |
￥0.6578
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6,000 | 对比 | ||||||||||
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DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.4W(Ta) 60mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 4A |
￥0.6281
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2,504 | 对比 |
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