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MJD31C-13  与  MJD31CT4G  区别

型号 MJD31C-13 MJD31CT4G
唯样编号 A3-MJD31C-13 A36-MJD31CT4G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 MJD31C Series 100 V 3 A 1.5 W NPN High Voltage Transistor - TO252 (DPAK)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252 DPAK
功率耗散Pd 15W 1.56W
VCBO 100V 100V
工作温度 -55°C~150°C -65°C~150°C
集电极电流Ic 3A 3A
特征频率fT 3MHz 3MHz
VEBO 6V 5V
集电极-射极饱和电压 1.2V 1.2V
集电极-发射极Vceo 100V 100V
直流电流增益hFE 10 10
晶体管类型 NPN NPN
库存与单价
库存 2,500 2,500
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.256
100+ :  ¥1.74
1,250+ :  ¥1.5
2,500+ :  ¥1.44
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥2.256 

阶梯数 价格
30: ¥2.256
100: ¥1.74
1,250: ¥1.5
2,500: ¥1.44
2,500 对比

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