NJW0302G 与 2SA1943N(S1,E,S) 区别
| 型号 | NJW0302G | 2SA1943N(S1,E,S) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-NJW0302G | A36-2SA1943N(S1,E,S) | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Toshiba | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||
| 描述 | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 250 V 15 A 30MHz 150 W 通孔 TO-3P-3L | TRANS PNP 230V 15A TO3P | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 150W | - | ||||||
| 功率 | - | 150 W | ||||||
| 特征频率fT | 30MHz | - | ||||||
| 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) | - | 3V @ 800mA,8A | ||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 1V | - | ||||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||||
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | - | 15 A | ||||||
| 封装/外壳 | TO-3P | TO-3P(N) | ||||||
| 电压-集射极击穿(最大值) | - | 230 V | ||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||||
| VCBO | -250V | - | ||||||
| 频率-跃迁 | - | 30MHz | ||||||
| VEBO | -5V | - | ||||||
| 集电极连续电流 | -15A | - | ||||||
| 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) | - | 80 @ 1A,5V | ||||||
| 电流-集电极截止(最大值) | - | 5uA(ICBO) | ||||||
| 直流电流增益hFE | 75 | - | ||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | -250V | - | ||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 4,743 | 5,606 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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NJW0302G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
TO-3P PNP 150W 30MHz 1V -15A 75 -250V |
暂无价格 | 4,743 | 当前型号 | ||||||||
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2SA1943N(S1,E,S) | Toshiba | 数据手册 | BJT三极管 |
TO-3P(N) PNP |
￥7.392
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5,606 | 对比 | ||||||||
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2SA1962-O(Q) | Toshiba | 数据手册 | BJT三极管 |
TO-3P(N) PNP |
￥26.4475
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32 | 对比 | ||||||||
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2SA1943N(S1,E,S) | Toshiba | 数据手册 | BJT三极管 |
TO-3P(N) PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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