RGTH00TK65DGC11 与 RGTH00TK65GC11 区别
| 型号 | RGTH00TK65DGC11 | RGTH00TK65GC11 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RGTH00TK65DGC11 | A33-RGTH00TK65GC11 | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | IGBT晶体管 | IGBT晶体管 | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 电流-集电极脉冲(Icm) | 200A | 200A | ||
| 栅极电荷 | 94nC | 94nC | ||
| 功率-最大值 | 72W | 72W | ||
| 输入类型 | 标准 | 标准 | ||
| IGBT类型 | 沟槽型场截止 | 沟槽型场截止 | ||
| 25°C时Td(开/关)值 | 39ns/143ns | 39ns/143ns | ||
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 35A | 35A | ||
| 封装/外壳 | TO-3PFM,SC-93-3 | TO-3PFM,SC-93-3 | ||
| 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) | 2.1V @ 15V,50A | 2.1V @ 15V,50A | ||
| 电压-集射极击穿(最大值) | 650V | 650V | ||
| 工作温度 | -40°C~175°C(TJ) | -40°C~175°C(TJ) | ||
| 测试条件 | 400V,50A,10 欧姆,15V | 400V,50A,10 欧姆,15V | ||
| 反向恢复时间(trr) | 225ns | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 30 | 30 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RGTH00TK65DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
暂无价格 | 30 | 当前型号 | ||||
|
|
RGTH00TK65GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
￥11.1348
|
30 | 对比 | ||||
|
|
RGTH00TK65GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
暂无价格 | 30 | 对比 | ||||
|
|
RGTH00TK65GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
