RGTH00TK65GC11 与 RGTH00TK65DGC11 区别
| 型号 | RGTH00TK65GC11 | RGTH00TK65DGC11 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RGTH00TK65GC11 | A-RGTH00TK65DGC11 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | IGBT晶体管 | IGBT晶体管 |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 电流-集电极脉冲(Icm) | 200A | 200A |
| 栅极电荷 | 94nC | 94nC |
| 功率-最大值 | 72W | 72W |
| 输入类型 | 标准 | 标准 |
| IGBT类型 | 沟槽型场截止 | 沟槽型场截止 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 39ns/143ns | 39ns/143ns |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 35A | 35A |
| 封装/外壳 | TO-3PFM,SC-93-3 | TO-3PFM,SC-93-3 |
| 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) | 2.1V @ 15V,50A | 2.1V @ 15V,50A |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 650V | 650V |
| 工作温度 | -40°C~175°C(TJ) | -40°C~175°C(TJ) |
| 测试条件 | 400V,50A,10 欧姆,15V | 400V,50A,10 欧姆,15V |
| 反向恢复时间(trr) | - | 225ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 30 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RGTH00TK65GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
暂无价格 | 30 | 当前型号 | ||||||||
|
|
RGTH00TK65DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
¥13.5783
|
429 | 对比 | ||||||||
|
|
RGTH00TK65DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
¥73.825
|
120 | 对比 | ||||||||
|
|
RGTH00TK65DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
暂无价格 | 30 | 对比 | ||||||||
|
|
RGTH00TK65DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-3PFM,SC-93-3 -40°C~175°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |