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RS6L120BGTB1  与  NVMFS020N06CT1G  区别

型号 RS6L120BGTB1 NVMFS020N06CT1G
唯样编号 A3-RS6L120BGTB1 A-NVMFS020N06CT1G
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
工作温度 -55°C~150°C -
连续漏极电流Id 120A -
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.7mΩ@90A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 104W -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A

暂无价格 100 当前型号
NTMFS5C670NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

¥2.321 

阶梯数 价格
30: ¥2.321
100: ¥1.793
750: ¥1.551
1,500: ¥1.474
5,999 对比
NTMFS5C628NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

QFN-5

¥3.113 

阶梯数 价格
20: ¥3.113
100: ¥2.387
750: ¥2.079
1,500: ¥1.98
4,056 对比
NTMFS5C628NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

QFN-5

暂无价格 3,000 对比
SIR184LDP-T1-RE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK® SO-8

暂无价格 20 对比
SIR186LDP-T1-RE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK® SO-8 Single N-Channel 57W 4.4mΩ@15A,10V -55℃~150℃ ±20V 60V 80.3A

暂无价格 10 对比

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