SMUN5311DW1T1G 与 UMD3NTR 区别
| 型号 | SMUN5311DW1T1G | UMD3NTR | ||||||||||
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| 唯样编号 | A3-SMUN5311DW1T1G | A33-UMD3NTR | ||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| R2 | - | 10K/10K Ohms | ||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 150mW | ||||||||||
| 特征频率fT | - | 250MHz,250MHz | ||||||||||
| 产品特性 | 带阻/预偏置 | - | ||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | - | 300mV,-300mV | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363-6 | SOT-363 | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||
| 集电极连续电流 | - | 100mA,-100mA | ||||||||||
| 直流电流增益hFE | - | 30,30 | ||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | - | 50V,-50V | ||||||||||
| 晶体管类型 | - | NPN+PNP | ||||||||||
| R1 | - | 10K/10K Ohms | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 2,800 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SMUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363-6 带阻/预偏置 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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UMD3NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA 300mV,-300mV 30,30 250MHz,250MHz NPN+PNP |
￥1.9165
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2,800 | 对比 | ||||||||||||
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UMD3NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA 300mV,-300mV 30,30 250MHz,250MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
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UMD3NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA 300mV,-300mV 30,30 250MHz,250MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 50 | 对比 | ||||||||||||
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UMD3NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA 300mV,-300mV 30,30 250MHz,250MHz NPN+PNP |
￥0.1812
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0 | 对比 | ||||||||||||
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BCR 35PN H6433 | Infineon | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 250mW NPN+PNP 50V 100mA 300mV 70 150MHz 车规-带阻/预偏置 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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