STD9N60M2 与 IPD80R750P7 区别
| 型号 | STD9N60M2 | IPD80R750P7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STD9N60M2 | A-IPD80R750P7 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 750mΩ |
| Moisture Level | - | 1 Ohms |
| 漏源极电压Vds | - | 800V |
| RthJA max | - | 62.0K/W |
| 栅极电压Vgs | - | 2.5V,3.5V |
| Special Features | - | price/performance |
| FET类型 | - | N-Channel |
| Qgd | - | 7.0 nC |
| Pin Count | - | 3.0 Pins |
| 封装/外壳 | TO-252-3 | DPAK (TO-252) |
| Mounting | - | SMT |
| 连续漏极电流Id | - | 7A |
| RthJC max | - | 2.4 K/W |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| QG (typ @10V) | - | 17.0 nC |
| Ptot max | - | 51.0W |
| Budgetary Price €/1k | - | 0.44 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 517,500 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STD9N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 517,500 | 当前型号 |
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AOD7S65 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 650V 30V 7A 89W 650mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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FCD900N60Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 4.5A(Tc) ±20V 52W(Tc) 900mΩ@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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FCD900N60Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 4.5A(Tc) ±20V 52W(Tc) 900mΩ@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AOD4S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 4A 56.8W 900mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AOD7S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 7A 83W 600mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |