STGB19NC60HDT4 与 IRG4BC40W-SPBF 区别
| 型号 | STGB19NC60HDT4 | IRG4BC40W-SPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STGB19NC60HDT4 | A-IRG4BC40W-SPBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | IGBT晶体管 | IGBT晶体管 |
| 描述 | IGBT 600V 40A 130W D2PAK | IRG4BC40W Series 600 V 40 A Insulated Gate Bipolar Transistor - D2PAK-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 25°C时Td（开/关）值 | - | 27ns/100ns |
| 电流-集电极（Ic）（最大值） | - | 40A |
| 功率 | - | 160W |
| 脉冲电流 - 集电极 (Icm) | - | 160A |
| 输入类型 | - | 标准 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | - | 600V |
| 脉冲电流-集电极(Icm) | - | 160A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | - | 600V |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | - | 40A |
| 封装/外壳 | TO-263-3 | D2PAK |
| 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） | - | 2.5V @ 15V,20A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 开关能量 | - | 110µJ(开),230µJ(关) |
| 不同 Vge，Ic时的 Vce（on） | - | 2.5V @ 15V,20A |
| 测试条件 | - | 480V,20A,10 欧姆,15V |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | - | 27ns/100ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 1,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STGB19NC60HDT4 | STMicro | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 当前型号 |
|
IKB20N60T | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
166W -40°C~175°C |
暂无价格 | 3 | 对比 |
|
IRG4BC40W-SPBF | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
-55°C~150°C(TJ) 160W D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRG4BC30KD-SPBF | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
-55°C~150°C(TJ) 100W D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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