STGW80H65DFB 与 IRGP4266DPBF 区别
| 型号 | STGW80H65DFB | IRGP4266DPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-STGW80H65DFB | A-IRGP4266DPBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | IGBT晶体管 | IGBT晶体管 |
| 描述 | HB Series 650 V 80 A High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-247 | Infineon IRGP4266DPBF N沟道 IGBT, 140 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AC封装 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 455W |
| 宽度 | - | 5.31mm |
| 脉冲电流 - 集电极 (Icm) | - | 300A |
| 额定能量 | - | 6.4mJ |
| 引脚数目 | - | 3 |
| 最大连续集电极电流 | - | 140 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | - | 650V |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | - | 140A |
| 封装/外壳 | TO-247S | 15.87*5.31*20.7mm |
| 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） | - | 2.1V @ 15V,75A |
| 工作温度 | - | -40°C~175°C(TJ) |
| 开关能量 | - | 2.5mJ(开),2.2mJ(关) |
| 长度 | - | 15.87mm |
| 最大集电极-发射极电压 | - | 650 V |
| 测试条件 | - | 400V,75A,10 欧姆,15V |
| 栅极电容 | - | 4430pF |
| 高度 | - | 20.7mm |
| 反向恢复时间（trr） | - | 170ns |
| 输入类型 | - | 标准 |
| 开关速度 | - | 1MHz |
| 晶体管配置 | - | 单 |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | - | 50ns/200ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 30 | 0 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STGW80H65DFB | STMicro | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-247S |
暂无价格 | 30 | 当前型号 |
|
IRGP4066DPBF | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
-55°C~175°C(TJ) 454W TO-247AC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRGP6690DPBF | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
-40°C~175°C(TJ) 483W 15.87*5.31*20.7mm |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRGP4266DPBF | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
-40°C~175°C(TJ) 455W 15.87*5.31*20.7mm |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRGP4066D-EPBF | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
-55°C~175°C(TJ) 454W 15.87*5.13*20.7mm |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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