2SAR502E3TL 与 2SAR502E3HZGTL 区别
| 型号 | 2SAR502E3TL | 2SAR502E3HZGTL | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-2SAR502E3TL-1 | A33-2SAR502E3HZGTL | ||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||||||
| 描述 | PNP, SOT-416, -30V -0.5A, General Purpose Transistor | PNP, SOT-416, -30V -500mA, General Purpose Amplification Transistor for Automotive | ||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 150mW | ||||||||||||||||||
| 特征频率fT | - | 520MHz | ||||||||||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | - | -400mV | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | EMT3 | SOT-416 | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||||||
| VCBO | - | -30V | ||||||||||||||||||
| 集电极电流Ic | - | -500mA | ||||||||||||||||||
| VEBO | - | -6V | ||||||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | - | 200 | ||||||||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | - | -30V | ||||||||||||||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 3,100 | 2,800 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 28 - 35天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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2SAR502E3TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
EMT3 PNP |
￥1.1402
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3,100 | 当前型号 | ||||||||||||
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2SAR502E3HZGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
150mW SOT-416 -500mA -30V 车规 PNP |
￥1.4251
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3,100 | 对比 | ||||||||||||
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2SAR502E3HZGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
150mW SOT-416 -500mA -30V 车规 PNP |
￥1.5864
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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2SAR502E3HZGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
150mW SOT-416 -500mA -30V 车规 PNP |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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2SAR502E3HZGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
150mW SOT-416 -500mA -30V 车规 PNP |
￥0.9845
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2,800 | 对比 |
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