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MUN5215T1G  与  PDTC143XU,115  区别

型号 MUN5215T1G PDTC143XU,115
唯样编号 A32-MUN5215T1G A-PDTC143XU,115
制造商 ON Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) 500nA -
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA -
功率 0.202W -
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 160 @ 5mA,10V -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 1mA,10mA -
产品特性 - 车规
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V -
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA -
封装/外壳 SC-70,SOT-323 SOT-323
VCBO - 50V
工作温度 - -65°C~150°C
VEBO - 7V
Power-Max 202mW -
晶体管类型 - NPN
功率耗散Pd - 200mW
特征频率fT - 230MHz
电阻器-基底(R1)(欧姆) 10k -
集电极-射极饱和电压 - 100mV
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) 250mV @ 1mA,10mA -
FET类型 NPN -
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) 160 @ 5mA,10V -
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 10k -
集电极_发射极击穿电压VCEO 50V -
尺寸 - 2*1.25*0.95
集电极连续电流 - 100mA
集电极最大允许电流Ic 100mA -
直流电流增益hFE - 50
集电极-发射极最大电压VCEO - 50V
库存与单价
库存 0 1,690
工厂交货期 7 - 14天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MUN5215T1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SC-70,SOT-323

暂无价格 0 当前型号
DTC114EUAT106 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-323 200mW 50V 50mA 300mV 30 250MHz NPN

¥0.0804 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.0804
15,000 对比
PDTC114EU,115 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-323 200mW 50V 100mA 150mV 30 230MHz NPN

暂无价格 7,240 对比
DTC114TU3HZGT106 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-323 200mW 50V 100mA 300mV 100 250MHz 车规 NPN

¥0.7061 

阶梯数 价格
220: ¥0.7061
300: ¥0.5994
500: ¥0.4936
1,000: ¥0.4231
4,000: ¥0.3644
5,000: ¥0.3526
5,850 对比
PDTC143EU,115 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-323 200mW 50V 100mA 150mV 30 230MHz NPN

暂无价格 3,113 对比
DTC114TUBTL ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-323FL 200mW 50V 100mA 300mV 100 250MHz NPN

¥0.2441 

阶梯数 价格
620: ¥0.2441
1,000: ¥0.2441
2,000: ¥0.2441
3,000 对比

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