RGS80TSX2DHRC11 与 RGS80TSX2DGC11 区别
| 型号 | RGS80TSX2DHRC11 | RGS80TSX2DGC11 | ||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-RGS80TSX2DHRC11-2 | A33-RGS80TSX2DGC11-0 | ||||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||
| 分类 | IGBT晶体管 | IGBT晶体管 | ||||||||||||||||||||
| 描述 | 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12 | |||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247-3 | ||||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 555W | 555 W | ||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -40°C~175°C(TJ) | -40°C~175°C(TJ) | ||||||||||||||||||||
| 集电极电流Ic | 80A | 80A | ||||||||||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||||||||||||
| 集射极击穿电压Vces | 1200V | 1200V | ||||||||||||||||||||
| 集电极脉冲电流Icm | 120A | 120A | ||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||
| 库存 | 450 | 450 | ||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 28 - 35天 | ||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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RGS80TSX2DHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
车规 TO-247-3 1200V 80A 120A 555W -40°C~175°C(TJ) |
￥133.1131
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450 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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RGS80TSX2GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-247-3 1200V 80A 120A 555 W -40°C~175°C(TJ) |
￥61.3562
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RGS80TSX2DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-247-3 1200V 80A 120A 555 W -40°C~175°C(TJ) |
￥76.276
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RGS80TSX2GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-247-3 1200V 80A 120A 555 W -40°C~175°C(TJ) |
￥95.4881
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RGS80TSX2GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-247-3 1200V 80A 120A 555 W -40°C~175°C(TJ) |
￥61.3562
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RGS80TSX2DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-247-3 1200V 80A 120A 555 W -40°C~175°C(TJ) |
￥76.276
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372 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
