RGS80TSX2DHRC11 与 RGS80TSX2GC11 区别
| 型号 | RGS80TSX2DHRC11 | RGS80TSX2GC11 | ||||||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-RGS80TSX2DHRC11-4 | A33-RGS80TSX2GC11-0 | ||||||||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||||||
| 分类 | IGBT晶体管 | IGBT晶体管 | ||||||||||||||||||||||||
| 描述 | 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12 | |||||||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||||||
| 电流-集电极脉冲(Icm) | 120A | 120 A | ||||||||||||||||||||||||
| 栅极电荷 | 104nC | 104 nC | ||||||||||||||||||||||||
| 功率 | - | 555 W | ||||||||||||||||||||||||
| 功率-最大值 | 555W | - | ||||||||||||||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||||||||||||||||
| 输入类型 | 标准 | 标准 | ||||||||||||||||||||||||
| IGBT类型 | 沟槽型场截止 | 沟槽型场截止 | ||||||||||||||||||||||||
| 25°C时Td(开/关)值 | 49ns/199ns | 49ns/199ns | ||||||||||||||||||||||||
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 80A | 80 A | ||||||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247-3 | ||||||||||||||||||||||||
| 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) | 2.1V @ 15V,40A | 2.1V @ 15V,40A | ||||||||||||||||||||||||
| 电压-集射极击穿(最大值) | 1200V | 1200 V | ||||||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -40°C~175°C(TJ) | -40°C~175°C(TJ) | ||||||||||||||||||||||||
| 开关能量 | 3mJ(开),3.1mJ(关) | 3mJ(开),3.1mJ(关) | ||||||||||||||||||||||||
| 测试条件 | 600V,40A,10 欧姆,15V | 600V,40A,10 欧姆,15V | ||||||||||||||||||||||||
| 反向恢复时间(trr) | 198ns | - | ||||||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||||||
| 库存 | 562 | 450 | ||||||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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RGS80TSX2DHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-247-3 -40°C~175°C(TJ) 车规 |
¥37.6969
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562 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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RGS80TSX2GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
555 W TO-247-3 -40°C~175°C(TJ) |
¥84.4093
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RGS80TSX2GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
555 W TO-247-3 -40°C~175°C(TJ) |
¥61.3562
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RGS80TSX2DGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
555 W TO-247-3 -40°C~175°C(TJ) |
¥76.276
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RGS80TSX2GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
555 W TO-247-3 -40°C~175°C(TJ) |
¥61.3562
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RGS80TSX2GC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
555 W TO-247-3 -40°C~175°C(TJ) |
¥87.6667
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450 | 对比 |