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RGTV80TK65DGVC11  与  RGTV80TK65GVC11  区别

型号 RGTV80TK65DGVC11 RGTV80TK65GVC11
唯样编号 A32-RGTV80TK65DGVC11-2 A32-RGTV80TK65GVC11-1
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极脉冲(Icm) 160 A 160 A
功率 85 W 85 W
栅极电荷 81 nC 81 nC
输入类型 标准 标准
IGBT类型 沟槽型场截止 沟槽型场截止
25°C时Td(开/关)值 39ns/113ns 39ns/113ns
反向恢复时间Trr 101 ns -
电流-集电极(Ic)(最大值) 39 A 39 A
封装/外壳 TO-3PFM TO-3PFM
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) 1.9V @ 15V,40A 1.9V @ 15V,40A
电压-集射极击穿(最大值) 650 V 650 V
工作温度 -40°C~175°C(TJ) -40°C~175°C(TJ)
开关能量 1.02mJ(开),710uJ(关) 1.02mJ(开),710uJ(关)
测试条件 400V,40A,10 欧姆,15V 400V,40A,10 欧姆,15V
库存与单价
库存 900 900
工厂交货期 7 - 14天 7 - 14天
单价(含税)
10+ :  ¥31.1299
30+ :  ¥29.6428
50+ :  ¥28.354
250+ :  ¥25.2807
500+ :  ¥23.0996
10+ :  ¥22.7103
30+ :  ¥21.6553
50+ :  ¥20.698
250+ :  ¥18.4941
500+ :  ¥16.8651
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RGTV80TK65DGVC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT晶体管

85 W -40°C~175°C(TJ) TO-3PFM

¥31.1299 

阶梯数 价格
10: ¥31.1299
30: ¥29.6428
50: ¥28.354
250: ¥25.2807
500: ¥23.0996
900 当前型号
RGTV80TK65GVC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT晶体管

85 W -40°C~175°C(TJ) TO-3PFM

¥22.7103 

阶梯数 价格
10: ¥22.7103
30: ¥21.6553
50: ¥20.698
250: ¥18.4941
500: ¥16.8651
900 对比
RGTV80TK65GVC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT晶体管

85 W -40°C~175°C(TJ) TO-3PFM

¥35.7895 

阶梯数 价格
1: ¥35.7895
10: ¥30.2377
50: ¥19.1339
90 对比
RGTV80TK65GVC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT晶体管

85 W -40°C~175°C(TJ) TO-3PFM

暂无价格 60 对比
RGTV80TK65GVC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT晶体管

85 W -40°C~175°C(TJ) TO-3PFM

¥32.149 

阶梯数 价格
5: ¥32.149
10: ¥26.1792
20 对比
RGTV80TK65GVC11 ROHM Semiconductor  数据手册 IGBT晶体管

85 W -40°C~175°C(TJ) TO-3PFM

暂无价格 0 对比

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