RGTV80TK65GVC11 与 RGTV80TK65DGVC11 区别
| 型号 | RGTV80TK65GVC11 | RGTV80TK65DGVC11 | ||||||
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| 唯样编号 | A32-RGTV80TK65GVC11-2 | A-RGTV80TK65DGVC11 | ||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | IGBT晶体管 | IGBT晶体管 | ||||||
| 描述 | 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650 | 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 电流-集电极脉冲(Icm) | 160 A | 160 A | ||||||
| 功率 | 85 W | 85 W | ||||||
| 栅极电荷 | 81 nC | 81 nC | ||||||
| 输入类型 | 标准 | 标准 | ||||||
| IGBT类型 | 沟槽型场截止 | 沟槽型场截止 | ||||||
| 25°C时Td(开/关)值 | 39ns/113ns | 39ns/113ns | ||||||
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 39 A | 39 A | ||||||
| 反向恢复时间Trr | - | 101 ns | ||||||
| 封装/外壳 | TO-3PFM | TO-3PFM | ||||||
| 不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) | 1.9V @ 15V,40A | 1.9V @ 15V,40A | ||||||
| 电压-集射极击穿(最大值) | 650 V | 650 V | ||||||
| 工作温度 | -40°C~175°C(TJ) | -40°C~175°C(TJ) | ||||||
| 开关能量 | 1.02mJ(开),710uJ(关) | 1.02mJ(开),710uJ(关) | ||||||
| 测试条件 | 400V,40A,10 欧姆,15V | 400V,40A,10 欧姆,15V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 90 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RGTV80TK65GVC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
85 W -40°C~175°C(TJ) TO-3PFM |
￥35.7895
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90 | 当前型号 | ||||||||||||
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RGTV80TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
85 W -40°C~175°C(TJ) TO-3PFM |
￥31.1299
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900 | 对比 | ||||||||||||
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RGTV80TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
85 W -40°C~175°C(TJ) TO-3PFM |
￥40.5336
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82 | 对比 | ||||||||||||
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RGTV80TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
85 W -40°C~175°C(TJ) TO-3PFM |
暂无价格 | 60 | 对比 | ||||||||||||
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RGTV80TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
85 W -40°C~175°C(TJ) TO-3PFM |
￥40.9265
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30 | 对比 | ||||||||||||
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RGTV80TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | IGBT晶体管 |
85 W -40°C~175°C(TJ) TO-3PFM |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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