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SCT3017ALGC11  与  SCT3017ALHRC11  区别

型号 SCT3017ALGC11 SCT3017ALHRC11
唯样编号 A32-SCT3017ALGC11-1 A3-SCT3017ALHRC11
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET SiC MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TO-247-3
连续漏极电流Id - 118A(Tc)
工作温度 - 175°C(TJ)
漏源极电压Vds - 650V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 427W
Vgs(最大值) - +22V,-4V
栅极电荷Qg - 172nC@18V
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 22.1mOhms@47A,18V
栅极电压Vgs - 5.6V@23.5mA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 390 677
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥827.1126
100+ :  ¥592.5559
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3017ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

¥827.1126 

阶梯数 价格
1: ¥827.1126
100: ¥592.5559
390 当前型号
SCT3017ALHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

N-Channel 118A(Tc) 5.6V@23.5mA 427W TO-247-3 175°C(TJ) 650V 车规

暂无价格 677 对比
SCT3017ALHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

N-Channel 118A(Tc) 5.6V@23.5mA 427W TO-247-3 175°C(TJ) 650V 车规

¥778.5988 

阶梯数 价格
1: ¥778.5988
2: ¥748.74
3: ¥738.7935
4: ¥733.8107
5: ¥730.8305
9: ¥725.5219
20: ¥721.871
30: ¥720.8744
156 对比
SCT3017ALHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

N-Channel 118A(Tc) 5.6V@23.5mA 427W TO-247-3 175°C(TJ) 650V 车规

¥820.9738 

阶梯数 价格
1: ¥820.9738
100: ¥588.15
120 对比
SCT3017ALHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

N-Channel 118A(Tc) 5.6V@23.5mA 427W TO-247-3 175°C(TJ) 650V 车规

¥852.6555 

阶梯数 价格
1: ¥852.6555
100: ¥610.8468
120 对比
SCT3017ALHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

N-Channel 118A(Tc) 5.6V@23.5mA 427W TO-247-3 175°C(TJ) 650V 车规

¥852.6555 

阶梯数 价格
1: ¥852.6555
100: ¥610.8468
120 对比

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