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SCT3017ALHRC11  与  SCT3017ALGC11  区别

型号 SCT3017ALHRC11 SCT3017ALGC11
唯样编号 A32-SCT3017ALHRC11-1 A32-SCT3017ALGC11-1
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET SiC MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-247-3 TO-247N
功率耗散Pd 427W -
连续漏极电流Id 118A(Tc) -
工作温度 175°C(TJ) -
漏源极电压Vds 650V -
产品特性 车规 -
Vgs(最大值) +22V,-4V -
栅极电荷Qg 172nC@18V -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 22.1mOhms@47A,18V -
栅极电压Vgs 5.6V@23.5mA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 120 390
工厂交货期 7 - 14天 7 - 14天
单价(含税)
1+ :  ¥844.1427
100+ :  ¥619.0332
1+ :  ¥818.774
100+ :  ¥600.4343
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3017ALHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

N-Channel 118A(Tc) 5.6V@23.5mA 427W TO-247-3 175°C(TJ) 650V 车规

¥844.1427 

阶梯数 价格
1: ¥844.1427
100: ¥619.0332
120 当前型号
SCT3017ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

TO-247N

¥684.8254 

阶梯数 价格
1: ¥684.8254
2: ¥654.9763
3: ¥645.0201
4: ¥640.0469
5: ¥637.0572
9: ¥631.7485
10: ¥631.0873
20: ¥628.1072
450 对比
SCT3017ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

TO-247N

¥684.8254 

阶梯数 价格
1: ¥684.8254
2: ¥654.9763
3: ¥645.0201
4: ¥640.0469
5: ¥637.0572
9: ¥631.7485
10: ¥631.0873
20: ¥628.1072
431 对比
SCT3017ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

TO-247N

¥818.774 

阶梯数 价格
1: ¥818.774
100: ¥600.4343
390 对比
SCT3017ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

TO-247N

暂无价格 305 对比
SCT3017ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

TO-247N

¥428.9706 

阶梯数 价格
450: ¥428.9706
0 对比

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