SCT3017ALHRC11 与 SCT3017ALGC11 区别
| 型号 | SCT3017ALHRC11 | SCT3017ALGC11 | ||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A32-SCT3017ALHRC11-3 | A33-SCT3017ALGC11-0 | ||||||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||
| 分类 | SiC MOSFET | SiC MOSFET | ||||||||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | - | ||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 118A(Tc) | - | ||||||||||||||||||||
| 工作温度 | 175°C(TJ) | - | ||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 650V | - | ||||||||||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 427W | - | ||||||||||||||||||||
| Vgs(最大值) | +22V,-4V | - | ||||||||||||||||||||
| 栅极电荷Qg | 172nC@18V | - | ||||||||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 22.1mOhms@47A,18V | - | ||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 5.6V@23.5mA | - | ||||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||
| 库存 | 120 | 450 | ||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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SCT3017ALHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
N-Channel 118A(Tc) 5.6V@23.5mA 427W TO-247-3 175°C(TJ) 650V 车规 |
￥820.9738
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120 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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SCT3017ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
￥684.8254
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450 | 对比 | |||||||||||||||||||
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SCT3017ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
￥684.8254
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431 | 对比 | |||||||||||||||||||
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SCT3017ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
￥827.1126
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390 | 对比 | |||||||||||||||||||
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SCT3017ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
￥796.3803
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390 | 对比 | |||||||||||||||||||
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SCT3017ALGC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
￥827.1126
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390 | 对比 |
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