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SCT3105KLGC11  与  SCT3105KLHRC11  区别

型号 SCT3105KLGC11 SCT3105KLHRC11
唯样编号 A32-SCT3105KLGC11-5 A3-SCT3105KLHRC11
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET SiC MOSFET
描述 SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 134W
Rds On(Max)@Id,Vgs 137mΩ -
技术 - SiCFET(碳化硅)
漏源极电压Vds 1.2KV -
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 51 nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 574pF @ 800V
栅极电压Vgs -4V,to22V -
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-247N-3 TO-247N
连续漏极电流Id 24A -
工作温度 -55°C~175°C 175°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 5.6V @ 3.81mA
通道数量 1 Channel -
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 137 毫欧 @ 7.6A,18V
Vgs(最大值) - +22V,-4V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 18V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 24A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 1200V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 51nC @ 18V
库存与单价
库存 837 480
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥176.4686
5+ :  ¥143.7526
10+ :  ¥137.8042
50+ :  ¥122.9332
100+ :  ¥114.0107
200+ :  ¥107.0709
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3105KLGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

TO-247N-3 1.2KV 24A 137mΩ -4V,to22V -55°C~175°C

¥176.4686 

阶梯数 价格
1: ¥176.4686
5: ¥143.7526
10: ¥137.8042
50: ¥122.9332
100: ¥114.0107
200: ¥107.0709
837 当前型号
SCT3105KLHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规

暂无价格 480 对比
SCT3105KLHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规

¥224.1625 

阶梯数 价格
1: ¥224.1625
100: ¥160.588
390 对比
SCT3105KLHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规

¥215.8334 

阶梯数 价格
1: ¥215.8334
100: ¥154.6212
390 对比
SCT3105KLHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规

¥224.1625 

阶梯数 价格
1: ¥224.1625
100: ¥160.588
390 对比
SCT3105KLHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规

¥156.0494 

阶梯数 价格
1: ¥156.0494
5: ¥108.2812
10: ¥102.3113
30: ¥98.3346
50: ¥97.5297
60: ¥97.3381
100: ¥96.9356
180 对比

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