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UMZ1NTR  与  FMY4AT148  区别

型号 UMZ1NTR FMY4AT148
唯样编号 A32-UMZ1NTR-10 A33-FMY4AT148
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 UMZ1N Series 50 V 150 mA SMT NPN/PNP General Purpose Dual Transistor - SC-88 FMY4A Series 50 V 150 mA SMT NPN/PNP Power Management Dual Transistor - SC-74A
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 150mW -
电流-集电极截止(最大值) - 100nA(ICBO)
电流-集电极(Ic)(最大值) - 150mA
功率 - 3/10W
特征频率fT 180MHz,140MHz -
集电极-射极饱和电压 400mV,-500mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA
封装/外壳 SOT-363 SMT
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 120 @ 1mA,6V
VCBO 60V,-60V -
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
集电极电流Ic 150mA,-150mA -
频率-跃迁 - 180MHz,140MHz
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
VEBO 7V,-6V -
集电极最大允许电流Ic - 0.15A
集电极-发射极Vceo 50V,-50V -
直流电流增益hFE 120,120 -
晶体管类型 NPN+PNP NPN+PNP
库存与单价
库存 15,000 100
工厂交货期 7 - 14天 21 - 28天
单价(含税)
10+ :  ¥2.5542
100+ :  ¥1.6477
500+ :  ¥1.4831
1,000+ :  ¥1.3184
3,000+ :  ¥1.0711
6,000+ :  ¥0.9887
15,000+ :  ¥0.8241
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
UMZ1NTR ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363 150mW 50V,-50V 150mA,-150mA NPN+PNP

¥2.5542 

阶梯数 价格
10: ¥2.5542
100: ¥1.6477
500: ¥1.4831
1,000: ¥1.3184
3,000: ¥1.0711
6,000: ¥0.9887
15,000: ¥0.8241
15,000 当前型号
BC847PN-7-F Diodes Incorporated  数据手册 BJT三极管

SOT-363

暂无价格 3,000 对比
BC847BPN,125 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-363 300mW 45V 100mA NPN+PNP

暂无价格 1,798 对比
BC847BPDW1T1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363 0.38W 45V,-45V 100mA,-100mA NPN+PNP

¥0.4199 

阶梯数 价格
120: ¥0.4199
200: ¥0.2717
489 对比
BC847BPN,115 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-363 300mW 45V 100mA NPN+PNP

暂无价格 219 对比
BC847PN-7-F Diodes Incorporated  数据手册 BJT三极管

SOT-363

¥0.5239 

阶梯数 价格
100: ¥0.5239
135 对比

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